Bedryfsbeginsels van die transistor

Transistor - 'n toestel wat loop op halfgeleiers in die elektronika. Dit is ontwerp vir die omskakeling en versterking van elektriese seine. Daar is twee tipes van toerusting: 'n bipolêre transistor en die unipolêre transistor of 'n veld.

As die transistor is twee tipes van ladingdraers werk gelyktydig - gate en elektrone, word dit genoem bipolêre. As die transistor is slegs een tipe van beheer, dit is unipolêre.

Stel jou voor die werk van gewone kraanwater. Draai bolt - water vloei verhoog, het hy die ander manier - om te verminder of stop die vloei. Prakties is dit die beginsel van werking van die transistor. Slegs elektrone in plaas van water stroom vloei therethrough. Die beginsel van werking van die bipolêre transistor tipe word gekenmerk deur die feit dat deur middel van hierdie elektroniese toestel is twee soorte van krag word. Hulle is verdeel in 'n hoë, of basiese en klein, of bestuurder. Waarin die beheer huidige invloed op die vermoë van die belangrikste krag. Oorweeg 'n veldeffektransistor. Die beginsel van die operasie is anders as die ander. Dit gaan net een huidige uitset wat afhanklik is van die omringende elektromagnetiese veld.

Die bipolêre transistor is gemaak van 3 lae van die halfgeleier, asook, bowenal, die twee PK-aansluitings. Dit is nodig om te onderskei tussen PNP en NPN oorgange en dus en transistors. Hierdie halfgeleiers word afwisselend elektron en gat geleiding.

Die bipolêre transistor het drie terminale. Hierdie basis kontak, die verlaat van die sentrum laag, en twee elektrodes aan die kante - emittor en versamelaar. In vergelyking met hierdie twee uiterste elektrodes basis laag is baie dun. Langs die kante van die transistor streek van die halfgeleier is nie simmetries. 'n halfgeleier laag van die hand gesit op die versamelaar kant om die korrekte werking van hierdie toestel moet laat 'n bietjie, maar is dikker as in vergelyking met die kant van die emittor.

transistor werking beginsels gebaseer is op fisiese prosesse. Kom ons werk saam met die model PNP. NPN model sal soortgelyk, behalwe die polariteit van die spanning tussen sulke basiese elemente as 'n versamelaar en 'n emittor werk. Dit sal wees in die teenoorgestelde rigting.

Stof P-tipe bestaan uit 'n gat of positief gelaaide ione. N-tipe stof wat bestaan uit negatief gelaaide elektrone. In ons transistor aantal gate in die F streek is baie groter as die aantal elektrone in N.

Wanneer jy 'n spanningsbron verbind tussen sulke dele as die emittor en versamelaar van die transistor werking beginsels is gebaseer op die feit dat die gate is aangetrokke tot die paal en om in te samel naby die emittor. Maar die huidige gaan nie. Die elektriese veld van die spanningsbron nie die versamelaar bereik omdat die dik halfgeleier emittor laag en die basis halfgeleier laag.
verbind dan 'n spanningsbron met 'n ander kombinasie van elemente, naamlik die basis en emittor. Nou gate in die databasis gestuur en begin om met die elektrone. Die sentrale deel van die basis is versadig met gate. Die resultaat is 'n twee strome. Big - uit die emittor om die versamelaar, klein - vanaf die basis na die emittor.

Met 'n toename in spanning in die databasis in die laag N sal wees selfs meer gate, om die basisstroom verhoog, sal die emittorstroom effens verhoog. Dit beteken dat 'n klein verandering in basisstroom ernstig genoeg versterk emittorstroom. Die resultaat is 'n groei sein in 'n bipolêre transistor.

Kyk na die beginsels van die transistor, afhangende van die maatskappy af. Onderskei normale aktiewe modus, omgekeerde aktiewe modus, volop, donker af.
In aktiewe modus, is die emittor aansluiting geopen en gesluit versamelaar aansluiting. In die inversie af, alles gebeur op die teendeel.